Qualification supérieure · A-002 Composants et circuits avancés · A-002-004-010

Dans un transistor à effet de champ (MOSFET) à appauvrissement avec canal P, le déplacement des trous est associé à :

1. A l'enrichissement du canal N
2. B l'appauvrissement du canal Q
3. C l'appauvrissement du canal N
4. D l'appauvrissement du canal P

Bonne réponse : D — l'appauvrissement du canal P. Tirée de la banque de questions officielle d'ISDE, vérifiée mot pour mot.

Pourquoi

Hole conduction happens in p-type material, and a p-channel MOSFET uses holes as its main carriers. L'explication complète — et une pour chaque question — se trouve dans Pro.

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