Qualification supérieure · A-002 Composants et circuits avancés · A-002-004-011

Dans un transistor à effet de champ (MOSFET) à enrichissement avec canal P, le déplacement des trous est associé à :

1. A l'enrichissement du canal N
2. B l'appauvrissement du canal Q
3. C l'enrichissement du canal P
4. D l'appauvrissement du canal N

Bonne réponse : C — l'enrichissement du canal P. Tirée de la banque de questions officielle d'ISDE, vérifiée mot pour mot.

Pourquoi

In a p-channel enhancement type MOSFET, the main carriers moving through the channel are holes, which act like positive charges filling empty spots in the crystal structure. L'explication complète — et une pour chaque question — se trouve dans Pro.

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